Infineon 單開關(guān) IGBT 模塊配有 TRENCHSTOP ? IGBT4 和發(fā)射器控制的 4 二極管。此模塊具有高功率密度和 AlSiC 基板,用于提高熱循環(huán)能力。
VCES 為 3300 V
IC 標稱值為 1600 A
ICRM 為 3200 A
它可保持高電流密度
屬性 | 數(shù)值 |
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最大連續(xù)集電極電流 | 1.6 kA |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 3300 V |
晶體管數(shù) | 2 |
最大功率耗散 | 3600 kW |
配置 | 單 |
封裝類型 | AG-IHVB130 |