ON semiconductor 的新系列 Field Stop 第 4 代 IGBT 采用創(chuàng)新的 Field Stop IGBT 技術(shù),為低傳導(dǎo)和切換損耗至關(guān)重要的太陽能逆變器、UPS、焊機(jī)、電信、ESS 和 PFC 應(yīng)用提供最佳性能
最大接點溫度:TJ = 175 °C
正溫度系數(shù)易于并行操作
高電流容量
低飽和電壓:VCE (sat) = 1.6 V(典型值)@ IC = 75 A
所有零件均通過 ILM(1) 測試
高輸入阻抗
快速切換
嚴(yán)格的參數(shù)分布
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 150 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 650 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
最大功率耗散 | 375 W |
晶體管數(shù) | 1 |
封裝類型 | TO-247 |
安裝類型 | 通孔 |
通道類型 | P |
引腳數(shù)目 | 4 |
開關(guān)速度 | 1MHz |
晶體管配置 | 單 |
尺寸 | 15.8 x 5.2 x 22.74mm |