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IGBT

STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先進(jìn) Advanced gate field-stop 結(jié)構(gòu)的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce （ sat ）行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導(dǎo)性能得到了優(yōu)化。結(jié)果是專門設(shè)計(jì)用于最大程度提高效率的產(chǎn)品、適用于廣泛的快速應(yīng)用。

最小化尾電流
嚴(yán)格的參數(shù)分布
低熱阻
正 vce （ sat ）溫度系數(shù)