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onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G IGBT

訂 貨 號:NXH350N100H4Q2F2S1G      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G IGBT
產(chǎn)品詳細信息

ON Semiconductor 三級 NPC Q2 封裝模塊是高密度集成電源模塊,結(jié)合了高性能 IGBT 和堅固的反并聯(lián)二極管。

極其高效的溝道,采用場截止技術(shù)
低切換損耗可減少系統(tǒng)功耗
模塊設計提供高功率密度
低電感布局
低封裝高度
這些設備無鉛,無鹵,無 BFR ,符合 RoHS 標準


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 303 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 1000 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
最大功率耗散 592 W
晶體管數(shù) 4
封裝類型 Q2PACK (無鉛 / 無鹵化物)
暫無

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