ON Semiconductor 三級 NPC Q2 封裝模塊是高密度集成電源模塊,結(jié)合了高性能 IGBT 和堅固的反并聯(lián)二極管。
極其高效的溝道,采用場截止技術(shù)
低切換損耗可減少系統(tǒng)功耗
模塊設(shè)計提供高功率密度
低電感布局
低封裝高度
這些設(shè)備無鉛,無鹵,無 BFR ,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
屬性 | 數(shù)值 |
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最大連續(xù)集電極電流 | 303 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 1000 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
最大功率耗散 | 592 W |
晶體管數(shù) | 4 |
封裝類型 | Q2PACK (無鉛 / 無鹵化物) |