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STMicroelectronics STGYA50M120DF3 IGBT

訂 貨 號:STGYA50M120DF3      品牌:Tronics

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STMicroelectronics STGYA50M120DF3 IGBT
產品詳細信息

這款意法半導體產品為采用先進的專有場截止型溝槽柵結構開發的 IGBT。此設備屬于 M 系列 IGBT,對于極為需要低損耗和短路功能的逆變器系統,在性能和效率之間取得最佳平衡。此外,VCE(sat) 溫度系數為正且參數分布緊密,可讓并聯操作更安全。

最大接點溫度 175 °C
短路耐受時間 10 μs
VCEsat 參數低
參數分布緊密
VCEsat 溫度系數為正
低熱阻
反并聯軟快恢復二極管


屬性 數值
最大連續集電極電流 100 A
最大集電極-發射極電壓 1200 V
最大柵極發射極電壓 20V
晶體管數 1
最大功率耗散 535 W
配置
封裝類型 Max247
暫無

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