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STMicroelectronics HB2 650 v 、但其代表著先進(jìn) Advanced trench gate field-stop 結(jié)構(gòu)的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce （ sat ）行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導(dǎo)性能得到了優(yōu)化。僅用于保護(hù)目的的二極管與電極絕緣并聯(lián)封裝。結(jié)果是專門設(shè)計(jì)用于最大程度提高效率的產(chǎn)品、適用于各種快速應(yīng)用。

最大接點(diǎn)溫度為 175°c
共封裝保護(hù)二極管
最小化尾電流
嚴(yán)格的參數(shù)分布
低熱阻
正溫度系數(shù)