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DAWIN Electronics DM2G200SH6N IGBT

訂 貨 號:DM2G200SH6N      品牌:Tronics

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DAWIN Electronics DM2G200SH6N IGBT
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IGBT 模塊, DAWIN Electronics

Dawin 的絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 模塊可在各種工業標準中提供卓越的電氣性能。IGBT 電源模塊提供低傳導和切換損耗以及短路堅固性。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)分立和模塊

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數值
最大連續集電極電流 250 A
最大集電極-發射極電壓 600 V
最大柵極發射極電壓 ±20V
最大功率耗散 695 W
配置 串行
封裝類型 7DM-2
安裝類型 螺絲安裝
通道類型 N
引腳數目 7
尺寸 94 x 48 x 30mm
暫無

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