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這種 N 通道增強(qiáng)模式功率 MOSFET 采用專有平面條帶和 DMOS 技術(shù)制造。這項(xiàng) Advanced MOSFET 技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制，可降低電阻，并提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和高雪崩能量。這些器件適用于 Switched Mode 電源、有源功率因數(shù)校正 (PFC) 和電子燈鎮(zhèn)流器。

5.4A 、 900V 、 RDS （開(kāi)） =2.3 Ω （最大） @VGS =10V ， ID =2.7A
低柵電荷（典型值） 31 常閉）
低 CMSS （典型 13 pF ）
應(yīng)用
照明