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產(chǎn)品分類

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onsemi FDG6321C 雙極型晶體管

訂 貨 號:FDG6321C      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FDG6321C 雙極型晶體管
產(chǎn)品詳細信息

這些雙路 N 和 P 通道邏輯電平增強模式場效應(yīng)晶體管采用專有的高單元密度 DMOS 技術(shù)來生產(chǎn)。這種非常高的密度過程特別適合于最大限度地減少狀態(tài)電阻。此器件專為低電壓應(yīng)用而設(shè)計,可替代雙極數(shù)字晶體管和小型信號 MOSFET 。由于不需要偏置電阻器,此雙數(shù)字 FET 可以用不同的偏置電阻值替換多個不同的數(shù)字晶體管。

N-CH
0.50 A , 25 V
RDS (on) =0.45 Ω @VGS =4.5 伏
RDS(on) =0.60 Ω @VGS =2.7V
P - CH ( P - CH )
-0.41 A , -25 V
RDS (on) =1.1 Ω @VGS =-4.5 伏
RDS(on) =1.5 Ω @VGS=-2.7 V
非常小的封裝大綱 SC70-6 。
極低水平門驅(qū)動要求,允許在 3V 電路中直接操作 (VGS(TH)< 1.5 V) 。
用于 ESD 堅固性的門源齊納(> 6kV 人體模型)。
應(yīng)用
該產(chǎn)品可通用,適用于許多不同的應(yīng)用。


屬性 數(shù)值
封裝類型 SC-70
安裝類型 表面貼裝
最大功率耗散 300 mW
引腳數(shù)目 6
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無

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