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這些 N 通道 100V 指定 MOSFET 采用 Advanced PowerTrench 工藝制造，該工藝經(jīng)過(guò)特別定制，可最大程度地降低電阻，同時(shí)保持低柵電荷，從而提供卓越的開關(guān)性能。這些器件的設(shè)計(jì)旨在為那些價(jià)格較高的 SO-8 和 TSSOP-8 封裝不實(shí)用的應(yīng)用提供超凡的功耗。

1.0 A ， 100 V
RDS (on) =500M Ω @VGS =10V
RDS (on) =550 M Ω @VGS =6 V
低柵電荷（典型 3.7NC ）
快速切換速度
高性能溝槽技術(shù)，用于極低的 RDS (on)
SuperSOT ? -6 封裝：體積小 72% （小于標(biāo)準(zhǔn) SO-8 封裝），薄型（ 1mm 厚）
應(yīng)用
該產(chǎn)品可通用，適用于許多不同的應(yīng)用。