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onsemi MUN5313DW1T1G 雙極型晶體管

訂貨號(hào)：MUN5313DW1T1G 品牌：安森美_Onsemi

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onsemi MUN5313DW1T1G 雙極型晶體管

產(chǎn)品詳細(xì)信息

此系列數(shù)字晶體管設(shè)計(jì)用于替換單個(gè)器件及其外部電阻器偏置網(wǎng)絡(luò)。偏置電阻晶體管（ BRT ）包含單個(gè)晶體管、單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)電阻器、一個(gè)串聯(lián)基極電阻器和一個(gè)基極發(fā)射器電阻器組成。BRT 通過(guò)將這些組件集成到單個(gè)設(shè)備中來(lái)消除這些組件。使用 BRT 可以降低系統(tǒng)成本和板級(jí)空間。

簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)
減少板空間
減少組件計(jì)數(shù)
這些設(shè)備無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú) BFR

屬性	數(shù)值
晶體管類(lèi)型	NPN + PNP
最大直流集電極電流	100 mA
最大集電極-發(fā)射極電壓	50 V
封裝類(lèi)型	SOT-363
安裝類(lèi)型	表面貼裝
最大功率耗散	385 mW
最大集電極-基極電壓	50 V
引腳數(shù)目	6
每片芯片元件數(shù)目	2

暫無(wú)

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