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onsemi MUN5212DW1T1G 雙極型晶體管

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onsemi MUN5212DW1T1G 雙極型晶體管
產品詳細信息

此系列數字晶體管設計用于替換單個器件及其外部電阻偏置網絡。偏置電阻晶體管 (BRT) 包含一個具有單片偏置網絡的單晶體管,由兩個電阻器、一個系列基電阻器和一個基極發射器電阻器組成。BRT 通過將這些組件集成到單個設備中來消除這些組件。使用 BRT 可以降低系統成本和板級空間。

簡化電路設計
減少板級空間
減少組件數量
NSV 前綴,適用于需要獨特站點和控制更改要求的汽車和其它應用,支持 PPAP
這些設備無鉛、無鹵素/無 BFR


屬性 數值
晶體管類型 NPN
最大直流集電極電流 100 mA
最大集電極-發射極電壓 50 V 直流
封裝類型 SOT-363
安裝類型 表面貼裝
最大功率耗散 385 mW
晶體管配置 雙路
引腳數目 6
每片芯片元件數目 2
暫無

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