NPN 800 mA，40 V BISS RET，R1 = 2.2 kΩ、R2 = 2.2 kΩ，800 mA NPN 低 VCEsat 突破性小信號 (BISS) 帶阻晶體管 (RET) 采用小型塑料封裝。
800 mA 輸出電流容量
低集電極-發射極飽和電壓 VCEsat
高電流增益 hFE
減少元件總數
內置偏置電阻器
減少挑選和放置成本
簡化電路設計
+-10 % 的電阻比率容差
符合 AEC-Q101
汽車和工業領域的數字應用
切換負載
中等電流外圍驅動器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 晶體管類型 | NPN |
| 最大直流集電極電流 | 600 mA |
| 最大集電極-發射極電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | SOT-23, TO-236AB |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 570 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大發射極-基極電壓 | 10 V |
| 引腳數目 | 3 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
