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此 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench ? 工藝制造，該工藝已針對 RDS (on) 、開關(guān)性能和堅(jiān)固性進(jìn)行了優(yōu)化。

最大 RDS (on) =109 Ω ， VGS =10 V ， ID =2.7 A
最大 RDS (on) =176 M Ω ， VGS = 6V ， ID = 2.1 A
高性能溝槽技術(shù)，用于極低的 RDS (on)
高功率和電流處理能力，采用廣泛使用的表面安裝封裝
快速切換速度
應(yīng)用
該產(chǎn)品可通用，適用于許多不同的應(yīng)用。