The device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour.
High breakdown voltage VCEO = 140 V
Typical ft = 20 MHz
Fully characterized at 125 oC
Application
Power supply
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 晶體管類型 | NPN |
| 最大直流集電極電流 | 20 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 140 V |
| 封裝類型 | TO |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 最大功率耗散 | 100 W |
| 最小直流電流增益 | 60 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大集電極-基極電壓 | 200 V |
| 最大發射極-基極電壓 | 6 V |
| 最大工作頻率 | 20 MHz |
| 引腳數目 | 3 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
