發布日期：2023-02-21 點擊率：46
氮化鎵快充的出現，給生活帶來的極大的便利；近期；美祿成功開發650V氮化鎵(GaN)功率器件產品，推出基于MGZ31N65芯片65W 1A2C氮化鎵快充電源模塊方案，為目前需求旺盛的GaN快充領域提供了高性能、高性價比的全國產技術解決方案。
該方案能夠有效降低寄生參數對高頻開關的影響，獲得更高的轉換效率和更優秀的可靠性；實現“更高效率，更大功率，更小體積，更低發熱。”采用了智能溫控技術做到了“大功率下更小體積、更好溫控”支持多種充電模式，對不同的設備功率略有不同，USB-C接口實際最大輸出功率為65W。
可滿足消費類快充、LED照明驅動器、LCD顯示器電源、帶充電界面排插...等等應用場景的需求。在封裝方面，采用業界先進的PQFN封裝，兼顧客戶對于方便易用、緊湊性、低寄生與良好散熱的需求。
下面為大家帶來這套方案的詳細評測報告：
本電源模塊是65W1A2C界面，其輸出電壓由協議IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等電壓輸出，使用QR/DCM反馳式電路架構于輸出20V重載時可達91.62%效率及功率密度可達1.5W/cm3。
采用同系列控制單晶片：QR 一 次 側 控 制 IC 驅 動 MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側同步整流控制IC及PD3.0協議IC)可達到最佳匹配。
GaN/氮化鎵 - MGZ31N65的特性：650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V；非常低的QRR；減少交叉損失；符合RoHS標準和無鹵素要求的包裝。支持2MHz開關頻率，采用8＊8mm QFN封裝，節省面積。
臺灣美祿GaN/氮化鎵 - MGZ31N65特寫：
MGZ31N65芯片內部集成650V耐壓，250mΩ導阻的氮化鎵開關管；內置驅動器以及復雜的邏輯控制電路;支持輸出過壓保護，支持變壓器磁飽和保護，支持芯片供電過壓保護，支持過載保護，支持輸出電壓過壓保護，支持片內過熱保護，支持電流取樣電阻開路保護，具有低啟動電流。
優勢：
(1)返馳式谷底偵測減少開關損失◆可輸出65W功率
(2)輕載Burst Mode增加效率◆控制IC可直接驅動GaN
(3)最佳效能可達91%◆空載損耗低于50mW
(4)控制IC可支持頻率高達160 kHz◆系統頻率有Jitter降低EMI干擾
(5)進階保護功能：(1) VDD過電壓及欠電壓保護(2) 導通時最大峰值電流保護(3) 輸出過電壓保護(4) 輸出短路保護
PCB布局圖：
電路原理圖：
電路介紹
EMI濾波器(EMI小板)
為了符合CISPR22B/EN55022的標準，需設計合適的濾波電路，例如共模電感(LM1/LM2)、X電容(CX1)、Y電容(CY1)、濾波電感(L1)且配合電流最佳回路達到最好的EMI效果，EMI小板設計主要是降低電磁干擾。
USB PD3.0 (協議小板)
協議小板主要是采用協議芯片SC2151A設計，其由受電端發出電壓需求給協議IC后，控制主板改變
輸出電壓，本協議必需符合 PD3.0之協議。
●本協議芯片支持
●支援 DFP / UFP / DRP USB PD 3.0
●內鍵PD 3.0協議
264Vac滿載時主開關Vds跨壓波形（確保變壓器匝數比設計之安全值，264Vac輸入電壓時Vds<650*0.9=585V，Vds=547V(<585V)
傳導EMI量測 (CISPR22 Class B/EN55022)：Neutral
輻射EMI量測 (CISPR22 Class B/EN55022)：Horizontal/Vertical
主要零件溫度量測（量測條件：環溫下滿載65W燒機2.5小時）
臺灣美祿在對功率密度要求較高的多口氮化鎵快充產品的開發上積累了豐富的經驗；多家知名品牌開發了數十款多口氮化鎵快充產品，并取得了良好的銷量和客戶口碑。技術以及產品方面已經很完善，如果想了解更多技術資料，歡迎致電聯系：19168597394（微信同號）
微軟雅黑;font-size:14px;">原文標題 : 美祿推出650V氮化鎵(GaN)65W-1A2C快充電源方案
