發布日期：2022-07-15 點擊率：31
特許半導體(Chartered Semiconductor)的300毫米晶圓廠已經開始投入微米、微米以及與IBM聯合開發的90納米制造工藝。2002年,特許半導體和IBM簽署了技術協議,以共同開發90納米和65納米300毫米晶圓制造工藝。之后,英飛凌和三星也加入了他們針對65納米工藝的開發聯盟,如果相互之間能達成一致,未來還有可能將合作協議擴展到45納米。
特許半導體副總裁Kevin Meyer表示:“隨著納米制造工藝的發展,整個半導體行業正面臨著一些新的問題及挑戰,此時,代工、EDA、IP及其它服務供應商之間更廣泛的合作顯得至關重要。半導體價值鏈正以一種新的合作模式進行重組和積累,使得設計向90納米測試芯片原型過渡。”
“與IC設計公司合作可更進一步地了解硅片的工藝需要,這樣可更早地獲得規模和成本效益并降低風險。”Meyer說,“IBM愿意與我們分享他們在工藝上的最新成果,英飛凌在無線應用的低功耗管理方面具有優勢,三星則以消費應用見長。”
在90納米節點,特許半導體與IBM正在組合各自的資源及專長,以共同驗證和統一工具、庫、IP和參考設計流程。此外,特許半導體及IBM的生產線還通過采用同樣的工藝結構、集成機制和工藝流程來結成聯盟。二者建立的公共的設計及工藝平臺(見圖1)更好地解決了客戶的需要,即實現跨平臺的設計合作和真正的設計可移植性,并獲取世界領先的技術、制造專長和靈活的采購能力,以及90納米以后的技術連續性。
2004年9月,特許半導體公司已完成90納米生產驗證。Meyer表示:“目前,90納米工藝技術成熟度已足以贏取客戶。”從該公司邏輯技術路線圖來看,到2005年第二季度,該公司90納米工藝將真正達到成熟階段。2005年年中,其300毫米晶圓廠(第七廠)將按原定計劃開始為IBM生產90納米絕緣硅(SOI)產品。
另據Meyer介紹,特許半導體公司從1999年開始就已在um采用全銅低k介質工藝,未來在90納米節點也將采用全銅低k介質工藝。他認為:“在90納米采用低k銅工藝較氟硅玻璃(FSG)絕緣體工藝從性能上要高大約15%。”
一般而言,低介電系數工藝技術能為客戶提供更快的執行速度以及更低的耗電量,而且相較傳統的FSG工藝,能為產品設計者提供更大的設計空間,以大幅節省整體設計所需的時間。不過,在k=2.2以下的低介電薄膜方面還必須解決因薄膜的機械強度減弱而導致薄膜脫落的問題。
作者:史小玲
