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內(nèi)存IP特性化與電路仿真軟件廠商萊智科技股份有限公司近日宣布,Dongbu HiTek已經(jīng)采用萊智科技的CharFlo- Memory!與MSIM電路仿真器,以獲得嵌入式內(nèi)存對(duì)象模型特性化的最佳表現(xiàn)與硅制良率。萊智科技的內(nèi)存智財(cái)特性化工具組可根據(jù)布局萃取電路后含電阻及電容的仿真資料,在客戶提供之內(nèi)存編譯器不同PVT(工藝,電壓,溫度)狀況下,產(chǎn)生精確的內(nèi)存對(duì)象模型。Dongbu HiTek便是選擇采用萊智科技的CharFlo- Memory!工具組做為他們內(nèi)存特性化高品質(zhì)時(shí)程與功率模型的標(biāo)準(zhǔn)解決方案。

Dr. Taeksoo Kim, Executive VP at at Dongbu HiTek表示:在現(xiàn)今的系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)中,嵌入式內(nèi)存不但占用芯片里的大塊面積,同時(shí)也是硅制成功與否的關(guān)鍵因素；內(nèi)存對(duì)象模型的精確度對(duì)達(dá)成系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)高功效與高良率的影響至為重要。因此我們選擇采用萊智科技內(nèi)存IP特性化工具組CharFlo-Memory!,產(chǎn)生客戶內(nèi)存編譯器的芯片對(duì)象模型,萊智科技的CharFlo- Memory!能幫助我們?cè)诓煌椭苹腜VT(工藝,電壓,溫度)狀況下,取得精確的模型資源庫(kù)模型。另外,也同時(shí)采用萊智科技高精確度的MSIM電路仿真器工具,也幫助我們?cè)谔匦曰^程中,巨幅提升數(shù)據(jù)處理量與訊息的正確度。”

使用CharFlo-Memory!工具組可防止由于設(shè)定與持續(xù)時(shí)間不正確的模型所產(chǎn)生短時(shí)脈沖波干擾與不定穩(wěn)態(tài)等信賴度問題；特別在感測(cè)放大器讀取循環(huán)的輸入值可能還小于噪聲邊限(e.g. 100mv.)的情況下,更容易造成錯(cuò)誤的資料輸出值。這類問題通常出自PVT(工藝,電壓,溫度)的變化,以及在低功率、高效率的芯片設(shè)計(jì)中。

萊智科技總裁兼執(zhí)行長(zhǎng)魏游邦表示:“嵌入式內(nèi)存模型的品質(zhì),無論對(duì)于深次微米硅制產(chǎn)的成功或納米系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì),都是至為攸關(guān)的影響。對(duì)深層次微米與納米系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)的硅制成功影響相當(dāng)重要。采用萊智科技CharFlo- Memory!工具組,Dongbu HiTek于內(nèi)存再特性化與各種客制化的PVT(工藝,電壓,溫度)驗(yàn)證,皆能獲得領(lǐng)先解決方案。我們很高興經(jīng)由與Dongbu HiTek密切合作的機(jī)會(huì),貢獻(xiàn)己力于協(xié)助客戶設(shè)計(jì)出兼具高正確度與高處理量的完美系統(tǒng)芯片。”