當前位置： 首頁 > 工業電子產品 > 無源元器件 > 光電耦合器 > MOSFET輸出光電耦合器
+比較
高噪聲抗擾性，以 35 kV/μ s 最小共模抑制為特征
2.5A Peak 輸出電流驅動能力，適用于大多數 800V/20A IGBT
在輸出級使用 P 通道 MOSFET ，輸出電壓擺幅接近電源導軌
寬電源電壓范圍為 15V 至 30V
快速切換速度
最大傳播延遲為 400 ns
最大脈寬失真為 100ns
具有滯后的欠壓鎖定（ UVLO ）
擴展工業溫帶范圍， -40 ° C 至 100 ° C 溫度范圍
3 Ω （典型值）的 RDS （開）提供較低的功耗
>8.0mm 間隙和爬電距離（選項“ T ”）
不間斷電源
工業逆變器
隔離 IGBT / 功率 MOSFET 閘極驅動器
感應加熱
應用
交流 - 直流商用電源
能源生成和分配
工業馬達
不間斷電源
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 安裝類型 | 通孔安裝 |
| 輸出設備 | IGBT，MOSFET |
| 最大正向電壓 | 1.8V |
| 通道數目 | 1 |
| 針數目 | 8 |
| 封裝類型 | PDIP |
| 典型上升時間 | 60ns |
| 最大輸入電流 | 16 mA |
| 隔離電壓 | 5 KVrms |
| 邏輯輸出 | 是 |
| 典型下降時間 | 60ns |
