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訂 貨 號(hào):IPD053N08N3G 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝,可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用,在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計(jì)符合并超過(guò)計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。
快速切換 MOSFET,用于 SMPS
優(yōu)化技術(shù),用于直流/直流轉(zhuǎn)換器
符合目標(biāo)應(yīng)用的 JEDEC1 規(guī)格
N 通道,邏輯電平
極佳的柵極電荷 x R DS(on) 產(chǎn)品 (FOM)
極低導(dǎo)通電阻 R DS(on)
無(wú)鉛電鍍
Infineon TO-252-3 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型產(chǎn)品、在 10V 柵源電壓下具有 5.3 毫歐姆的漏源電阻。MOSFET 具有 90A 的連續(xù)漏極電流。它的最大柵源電壓為 20V 、漏源電壓為 80V 。它的最大功耗為 150W 。 MOSFET 的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 6V 和 10V 。它經(jīng)過(guò)優(yōu)化、可降低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 可應(yīng)對(duì)最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用、在有限的空間內(nèi)提供完全的靈活性。它旨在滿足并超越計(jì)算應(yīng)用中經(jīng)過(guò)強(qiáng)化的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長(zhǎng)的使用壽命、而不會(huì)影響性能或功能。
?雙面冷卻
?出色的柵極充電 x R DS (開(kāi))產(chǎn)品( FOM )
? 無(wú)鹵素
?無(wú)鉛 (Pb) 電鍍
?寄生電感低
?薄型(< 0 、 7mm )
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?優(yōu)化的直流 - 直流轉(zhuǎn)換器技術(shù)
?優(yōu)異的熱阻
?電阻極低
?交流 - 直流
?適配器
?直流 - 直流
? LED
? 電動(dòng)機(jī)控制
? PC 電源
?服務(wù)器電源
? SMPS
? 太陽(yáng)能
? 電信
? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
? IEC61249 - 2-21
? JEDEC
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 90 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 9.5 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 3.5V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 150 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
晶體管材料 | Si |
典型柵極電荷@Vgs | 52 nC @ 10 V |
長(zhǎng)度 | 6.73mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
寬度 | 6.22mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |