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Infineon IPD30N10S3L34ATMA1 MOSFET

訂貨號：IPD30N10S3L34ATMA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

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Infineon OptiMOS?T 功率 MOSFET

OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，在有限空間提供全部靈活性。這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計符合并超過計算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增強模式
符合汽車 AEC Q101 規(guī)格
MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品（符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)）

優(yōu)勢

最大電流高達(dá) 180A
低開關(guān)功耗和傳導(dǎo)功率損耗，造就極高的熱效率
穩(wěn)固的封裝，出色的品質(zhì)，高可靠性
優(yōu)化極柵電荷總量，實現(xiàn)更小的驅(qū)動器輸出級

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護(hù)功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	30 A
最大漏源電壓	100 V
封裝類型	DPAK (TO-252)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	42 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	2.4V
最小柵閾值電壓	1.2V
最大功率耗散	57 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
長度	6.5mm
寬度	6.22mm
晶體管材料	Si
典型柵極電荷@Vgs	24 nC @ 10 V
最高工作溫度	+175 °C
每片芯片元件數(shù)目	1

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