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產(chǎn)品分類
分類：

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Infineon BSS806NEH6327XTSA1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：BSS806NEH6327XTSA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話：
手 機(jī)：
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通 訊：    
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Infineon BSS806NEH6327XTSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon OptiMOS?2 功率 MOSFET 系列

Infineon OptiMOS?2 N 通道系列提供行業(yè)最低電壓接地電阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多應(yīng)用，包括高頻電信、數(shù)據(jù)通信、太陽(yáng)能、低電壓驅(qū)動(dòng)器和服務(wù)器電源。 OptiMOS 2 產(chǎn)品系列具有 20V 及以上范圍，且提供不同的封裝類型可供選擇。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 2.3 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 SOT-23
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 82 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 0.75V
最小柵閾值電壓 0.3V
最大功率耗散 500 mW
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -8 V、+8 V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
長(zhǎng)度 2.9mm
寬度 1.3mm
典型柵極電荷@Vgs 1.7 nC @ 2.5 V
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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