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Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS 超結(jié) MOSFET 是經(jīng)過優(yōu)化的設(shè)備,專為滿足板載 EV 充電市場領(lǐng)域的需求而定制。得益于低柵極電荷 (Qg) 和改進的切換行為,它可在目標市場中提供最高效率。此外,它還隨附集成快速主體二極管和大幅降低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) ,可在諧振拓撲中實現(xiàn)最高可靠性。由于具有這些功能, IPW60R037CSFD 符合車載 EV 充電站市場的效率和可靠性標準,并進一步支持高功率密度解決方案。
超快主體二極管
杰出反向恢復(fù)電荷 (Qrr)
改進的反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 堅固性
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 236 a |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | PG-to 247-3. |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.037 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |