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STMicroelectronics 650V 功率 mosfet 具有 45A 額定電流和漏極到源電阻 45m 歐姆。它在每個裝置區(qū)域具有低接通電阻和非常好的切換性能。開關(guān)損耗的變化幾乎獨立于接點溫度。
非常快速且堅固的固有主體二極管
低電容
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 45 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | HiP247 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.045 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 晶體管材料 | SiC |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |