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STMicroelectronics 汽車級 N 溝道功率 MOSFET 利用 STripFET F7 技術和增強型溝道柵極結構，可產生非常低的通態電阻，同時還可降低內部電容和柵極電荷，實現更快，更高效的切換。

符合 AEC-Q101
在市場上最低的 RDS (接通) 中
出色的 FOM (業績數字)
低 CRS/Ciss 比，提供 EMI 抗擾性
高耐雪崩性