STMicroelectronics 汽車級 N 溝道功率 MOSFET 利用 STripFET F7 技術和增強型溝道柵極結構,可產生非常低的通態電阻,同時還可降低內部電容和柵極電荷,實現更快,更高效的切換。
符合 AEC-Q101
在市場上最低的 RDS (接通) 中
出色的 FOM (業績數字)
低 CRS/Ciss 比,提供 EMI 抗擾性
高耐雪崩性
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 100 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | LFPAK |
| 安裝類型 | 通孔 |