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DiodesZetex 30V 雙 p 通道增強模式 mosfet 設計用于最大程度降低通態(tài)電阻、同時保持卓越的切換性能、使其特別適用于高效電源管理應用。其柵 - 源電壓為 20V 、熱功耗為 0.29 w 。
低接通電阻
低輸入電容
esd 保護門
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 550 mA |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SOT-363 |
引腳數目 | 6 |
最大漏源電阻值 | 1.7 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.6V |
每片芯片元件數目 | 1 |
晶體管材料 | Si |