DiodesZetex 30V 雙 n 通道增強模式 mosfet 設計用于最大程度降低通態電阻、同時保持卓越的切換性能、使其特別適用于高效電源管理應用。其柵 - 源電壓為 20 v 、熱功耗為 0.29 w 。
低接通電阻
低輸入電容
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 800mA |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | SOT-363 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 0.7 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.6V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 晶體管材料 | Si |
