這款意法半導體 N 通道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技術,具有增強型槽柵結構。可確保非常低的接通狀態電阻,同時減少內部電容和柵電荷,從而提高切換效率。
用于切換應用
MSL 1 級
175 ℃ 工作溫度
100% 雪崩測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 360 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | PowerFLAT 5x6 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |