DiodesZetex 30V n 通道增強模式 mosfet 設計用于最大程度降低通態電阻、同時保持卓越的切換性能、使其特別適用于高效電源管理應用。其柵 - 源電壓為 8 v 、熱功耗為 0.4 w 。
低 vgs （ th ）、可直接從電池驅動
esd 保護門
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 900 mA |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | SOT-23 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.73 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 0.95V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
