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Infineon P 通道小信號晶體管采用無鉛引線電鍍。MOSFET 的漏電流和漏-源電壓分別為 -1.1 A 和 -60V。超低電阻值。工作溫度 -55 °C 至 150 °C。

表面貼裝技術
邏輯電平可用性
易于連接到微控制器裝置 (MCU)
快速切換
雪崩耐量高