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Infineon 600V coolmos ? C7 超結(jié)（ sj ） mosfet 系列的關閉損耗（ e oss ）比 coolmos ? cp 減少 ～50% ，在 pfc 、 ttf 和其他硬切換拓撲結(jié)構(gòu)中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7 還是高功率密度充電器設計的完美匹配。

可提高切換頻率、而不會降低效率
測量顯示輕負載和滿負載效率的關鍵參數(shù)
將切換頻率加倍將使磁性元件的尺寸減半
適用于相同 r ds （ on ）的較小封裝
可用于更多位置、用于硬切換和軟切換拓撲