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訂 貨 號(hào):SCTH60N120G2-7 品牌:Tronics
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 設(shè)備是使用 ST 的 Advanced 和創(chuàng)新的第 2 代 SiC MOSFET 技術(shù)開發(fā)而成。該設(shè)備的單位面積具有極低的接通電阻和非常好的切換性能。切換損耗的變化幾乎與接點(diǎn)溫度無(wú)關(guān)。
非??焖偾覉?jiān)固的本征主體二極管。
極低的柵極電荷和輸入電容
源感應(yīng)引腳,用于提高效率
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 60 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | H2PAK-7 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 0.052 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 晶體管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |