Renesas Electronics N 溝道單功率 MOSFET 適用于開關和負載開關應用。它具有 30 V 的高擊穿電壓它能夠提供 4.5 V 柵極驅動。
高速切換
低驅動電流
高密度安裝
低接通電阻
無鉛
無鹵
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 50 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | WPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0029 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
