Infineon mosfet 設計又聞名于“金屬氧化物半導體場效應晶體管”。MOSFET 是由電容器控制的晶體管設備。“場效應”代表設備受電壓控制。MOSFET 的作用是控制從源極到漏極端子的電流。
綠色產品（符合 RoHS 標準）
符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 標準
用于汽車應用的功率 mosfet
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 12 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | Pg － TO252 － 3 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.28. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 晶體管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
