Infineon IGBT 模塊 FET 類型為 4 個 N 通道（半橋），可在 1200V 漏源電壓和 45A 連續漏極電流下工作。
底盤安裝
-40°C 至 150°C 工作溫度
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 45 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | AG-EASY1B-2 |
| 安裝類型 | 底盤安裝 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0225 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 5.55V |
| 晶體管材料 | SiC |
