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DiodesZetex MOSFET 生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFE，旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。這種環(huán)保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 powerDI5060-8 封裝。具有切換速度快和效率高的特點(diǎn)。溫度最高可達(dá) +175°C，特別適合于高溫環(huán)境。100% 無鉗位電感開關(guān)，確保更加可靠而穩(wěn)健的終端應(yīng)用封裝尺寸小于 1.1 mm，非常適合于薄型應(yīng)用。

最大漏極-源極電壓 30 V 最大柵極-源極電壓 ±16 V 低導(dǎo)接通電阻且高 BVDSS 額定值，適合于電源應(yīng)用 輸入電容低