Infineon 1B 1200 v 、 11 mΩ 半橋模塊采用 coolsic mosfet 、 ntc 和 presfit 觸點技術。
高電流密度
同類最佳的開關和傳導損耗
低電感設計
最高效率、可減少冷卻工作量
更高頻率操作
功率密度增加
優化客戶的開發周期時間和成本
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 100 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | 模塊 |
| 安裝類型 | 螺絲安裝 |
| 最大漏源電阻值 | 0.016. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 20V |
| 每片芯片元件數目 | 4 |
