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訂 貨 號(hào):IRF9910TRPBF 品牌:IR/國(guó)際整流器
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
20V 雙 N 溝道 HEXFET 功率 MOSFET,采用 SO-8 封裝
4.5V VGS 時(shí)低 RDS(接通)
極低柵極電荷
完全雪崩電壓和電流特征
雙 N 溝道 MOSFET
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 12 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | SO |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 18.3 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 2.55V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.65V |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長(zhǎng)度 | 5mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
| 寬度 | 4mm |