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+比較
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N,P |
最大連續(xù)漏極電流 | 2 A,2.3 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | MSOP |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 135 mΩ, 185 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 1.25 W |
晶體管配置 | 隔離式 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
寬度 | 3.1mm |
長度 | 3.1mm |
晶體管材料 | Si |
典型柵極電荷@Vgs | 7 nC @ 10 V,8 nC @ 10 V |
最高工作溫度 | +150 °C |