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訂 貨 號(hào):IPG20N06S4L26AATMA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon OptiMOS 系列雙 N 溝道 MOSFET 的漏極至源電壓為 60 V它具有較大源引線框架連接的優(yōu)點(diǎn),用于電線粘結(jié), 200um 粘結(jié)線的電流高達(dá) 20A。
符合汽車(chē) AEC Q101 規(guī)格
? MSL1 高達(dá) 260°C Peak 回流
工作溫度? 175°C
?綠色封裝
?超低 RDS
?經(jīng)過(guò) 100% 雪崩測(cè)試
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 20 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類(lèi)型 | TDSON |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.026 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.2V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
晶體管材料 | Si |