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Infineon OptiMOS 5 功率晶體管 N 溝道 MOSFET 具有 40V 漏極源擊穿電壓和 98A 連續(xù)漏極電流。此產(chǎn)品為需要正常電平 (更高閾值電壓) 驅(qū)動(dòng)能力的應(yīng)用提供基準(zhǔn)解決方案。正常電平產(chǎn)品組合中的高 Vth 可抗由于嘈雜環(huán)境導(dǎo)致的錯(cuò)誤開(kāi)啟。此外，較低的 QGD/QGS 比率降低了柵極電壓峰值的 Peak ，進(jìn)一步提高了抗意外開(kāi)啟的穩(wěn)定性。

電池供電應(yīng)用
LV 電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
極低接通電阻 RDS (接通)
通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試
175°C 接點(diǎn)溫度
出色的耐熱性能
低柵極電荷
減少切換損耗
適用于在更高頻率下工作
N 通道
無(wú)鉛引線電鍍
符合 RoHS
無(wú)鹵素，符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)