Infineon FF6MR12W2M1 是 6 mΩ 半橋模塊，帶 CoolSiC MOSFET。此模塊具有高度的自由度，適用于變頻器設計人員。此模塊具有更好的 DCB 材料導熱性。
低切換損耗
低電感設計
高電流密度
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 200 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | AG-EASY2B. |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大柵閾值電壓 | 5.55V |
