Infineon P 通道小信號晶體管采用無鉛引線電鍍。MOSFET 的漏電流和漏-源電壓分別為 -1.9 A 和 -60V。超低電阻值。工作溫度 -55 °C 至 150 °C。
表面貼裝技術
邏輯電平可用性
易于連接到微控制器裝置 (MCU)
快速切換
雪崩耐量高
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 1.9 a |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SOT-223 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
