Infineon 的 CoolMOS? CE Power MOSFET 是一個高電壓功率 MOSFET 的技術平臺，它根據超級結原理（SJ）設計，旨在滿足消費者的要求。
由于 FOM Rdson Qg 和 Eoss 極低，損耗極低。
非常高的交換堅固性。
易于使用/驅動。
無鉛鍍層，無鹵模制化合物。
符合標準等級應用要求。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 2.4 A |
| 最大漏源電壓 | 500 V |
| 封裝類型 | SOT-223-3 |
