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訂 貨 號(hào):IGT60R190D1SATMA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon mos ?設(shè)計(jì)是一項(xiàng)革命性的高電壓功率功率功率半導(dǎo)體技術(shù),它是根據(jù)超級(jí)連接( sj )原理設(shè)計(jì)的,由 Infineon 技術(shù)公司率先開(kāi)發(fā)的。cool mos ? P6 系列結(jié)合了領(lǐng)先的 sj mosfet 供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和一流的創(chuàng)新。提供的器件具有快速切換 sj mosfet 的所有優(yōu)點(diǎn)、同時(shí)不會(huì)降低易用性。極低的切換和傳導(dǎo)損耗使切換應(yīng)用更高效、更緊湊、更輕、更涼爽。
mosfet dv/dt 穩(wěn)定增加
由于 fom rdson*qg 和 eoss 極低的損耗
非常高的換向堅(jiān)固性
無(wú)鉛鍍層無(wú)鹵模制化合物
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 12.5 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | Pg/hsof - 8 - 3 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.19. Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 1.6V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |