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DiodesZetex 生產(chǎn)的新一代 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET，旨在最大限度地減小導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) ，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，是高效電源管理應(yīng)用的理想之選。這種環(huán)保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 powerDI5060-8 封裝。具有切換速度快和效率高的特點(diǎn)。100% 無鉗位電感開關(guān)，確保更加可靠而穩(wěn)健的終端應(yīng)用封裝尺寸小于 1.1 mm，非常適合于薄型應(yīng)用。

最大漏極-源極電壓 40 V 最大柵極-源極電壓 ±20 V 封裝的散熱效率高，非常適合低溫應(yīng)用 輸入電容低