英飛凌 P 溝道功率 MOSFET 具有設計靈活和易于操作的特點，可滿足最高性能要求，包括 -12V 系列產品，完美適用于電池保護、極性反接保護、線性電池充電器、負載開關、直流 - 直流轉換器和低電壓驅動應用。
P 通道,
低接通電阻,RDS(接通
)100% 風險測試,
邏輯級別或正常級別,
增強模式,
無鉛引線鍍層
符合 RoHS 標準
無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標準
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 180 mA |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SOT-23-3 |
