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訂 貨 號(hào):IMZ120R220M1HXKSA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon coolsic ? mosfet mΩ 1200 v , 220 m 2 , TO247 采用 43-4 封裝,采用先進(jìn)的溝道半導(dǎo)體工藝制造,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,性能與可靠性相結(jié)合。與基于硅( si )的傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)(如溝器和 mosfet )相比、 sic mosfet 具有一系列優(yōu)勢(shì)。這些包括 1200 v 開(kāi)關(guān)中可見(jiàn)的最低柵極電荷和設(shè)備電容水平、內(nèi)部防換向主體二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、不受溫度影響的低切換損耗和無(wú)閾值通態(tài)特性。
同類(lèi)最佳的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗
基準(zhǔn)高閾值電壓、 vth > 4 v
0V 關(guān)閉柵極電壓、用于輕松簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)
寬柵 - 源電壓范圍
堅(jiān)固且低損耗主體二極管、額定用于硬換向
溫度獨(dú)立關(guān)閉開(kāi)關(guān)損耗
驅(qū)動(dòng)器源引腳、用于優(yōu)化切換性能
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 13 A |
最大漏源電壓 | 1200 V |
封裝類(lèi)型 | Pg - TO247 - 4 |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 220 米Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |