當前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
此新一代 MOSFET 設計旨在最大程度減少通態(tài)電阻(RDS(接通))并保持卓越的切換性能,使其特別適用于高效率電源管理應用。
額定溫度值為 175°C - 特別適用于高環(huán)境溫度環(huán)境
100% 非鉗制電感切換 - 確保更可靠和堅固的端應用
低接通電阻
低輸入電容
無鉛表面
無鹵素和無銻。“綠色”設備
應用
電源
電動機控制
直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 50(狀態(tài))A,80(穩(wěn)定)A |
最大漏源電壓 | 55 V |
封裝類型 | TO-252 (DPAK) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 + Tab |
最大漏源電阻值 | 18 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 3.2 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±12 V |
典型柵極電荷@Vgs | 49.1 nC @ 10V |
長度 | 6.7mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 6.2mm |