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Infineon IPB60R099P7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPB60R099P7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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Infineon IPB60R099P7ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 設(shè)計(jì)是一 C7 項(xiàng)革命性的高電壓功率功率功率半導(dǎo)體技術(shù),符合超級(jí)連接( sj )原理,由 Infineon 技術(shù)開創(chuàng)。600V cool mos ? C7 系列結(jié)合了領(lǐng)先的 sj mosfet 供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和高級(jí)創(chuàng)新。600V C7 是使用 rds (接通) * a 低于 1Ohm * mm2 的第一項(xiàng)技術(shù)。

適用于硬切換和軟切換( pfc 和高性能 llc )、將 mosfet dv/dt 堅(jiān)固性提高到 120V / ns
由于同類最佳 fom rds (接通) * eoss 和 rds (接通) * qg 、提高了效率
同類最佳 rds (接通) / 封裝


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 31 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 Pg 至 263-3
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.099 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
晶體管材料
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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