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訂 貨 號(hào):IPB60R099P7ATMA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon 設(shè)計(jì)是一 C7 項(xiàng)革命性的高電壓功率功率功率半導(dǎo)體技術(shù),符合超級(jí)連接( sj )原理,由 Infineon 技術(shù)開創(chuàng)。600V cool mos ? C7 系列結(jié)合了領(lǐng)先的 sj mosfet 供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和高級(jí)創(chuàng)新。600V C7 是使用 rds (接通) * a 低于 1Ohm * mm2 的第一項(xiàng)技術(shù)。
適用于硬切換和軟切換( pfc 和高性能 llc )、將 mosfet dv/dt 堅(jiān)固性提高到 120V / ns
由于同類最佳 fom rds (接通) * eoss 和 rds (接通) * qg 、提高了效率
同類最佳 rds (接通) / 封裝
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 31 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | Pg 至 263-3 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.099 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
晶體管材料 | 硅 |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |